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| LSI Logic：碳納米管內(nèi)存將很快成為現(xiàn)實(shí) |
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| 2004-6-15 ChinaByte |
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采用納米技術(shù)開發(fā)內(nèi)存芯片的創(chuàng)業(yè)企業(yè)Nantero公司與特殊微芯片主要制造商LSI Logic公司將在近日宣布：它們已經(jīng)將Nantero公司的技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)闃?biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。
Nantero公司正在開發(fā)高密度非易失性隨機(jī)存取內(nèi)存，又稱NRAM，這種產(chǎn)品有望替代現(xiàn)行的內(nèi)存形式。這種技術(shù)采用被稱為納米管的碳圓柱分子，LSI公司設(shè)在俄勒崗州Grasham工廠將生產(chǎn)采用納米管材料的新型內(nèi)存。
碳納米管是新型碳材料中的一種，即所謂富勒烯(Fullerenes)，這種材料的發(fā)現(xiàn)有助于激發(fā)人們對微分子級材料處理的興趣，這個(gè)領(lǐng)域被稱為納米技術(shù)。富勒烯由碳原子構(gòu)成，其排列形狀類似Buckminster Fuller所設(shè)計(jì)的測地線原屋頂?shù)墓?jié)點(diǎn)。研究人員在1991年制出了納米管，納米管由單一或多層圓柱體構(gòu)成，這些圓柱體不到10個(gè)毫微米寬。一毫微米等于一米的10億分之一。
兩家公司稱，從實(shí)驗(yàn)室到生產(chǎn)線的轉(zhuǎn)換用了9個(gè)多月，兩家公司還指出，仍然需要做相當(dāng)大的工作來改善芯片。
LSI生產(chǎn)工廠的副總裁和總經(jīng)理Armour指出，納米管內(nèi)存生產(chǎn)遵循與其他半導(dǎo)體產(chǎn)品同樣的路線圖。他指出，如果沒有開發(fā)上的問題，內(nèi)置碳納米管內(nèi)存（替代靜態(tài)隨機(jī)讀取內(nèi)存 SRAM）的處理器將于明年在工廠生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
碳納米管內(nèi)存可以極大地改進(jìn)手機(jī)、筆記本電腦和其他電子設(shè)備的性能。如今天的閃存和SRAM內(nèi)存一樣，碳納米管的設(shè)計(jì)可在電源切斷時(shí)保存數(shù)據(jù)—這是高于動(dòng)態(tài)隨機(jī)讀取內(nèi)存的優(yōu)勢。但是它比閃存快的多，電力消耗也更小。并且比SRAM內(nèi)存便宜的多，而且更加緊湊。
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