李 曹1,2 劉孝波1
（1.中國科學院成都有機化學研究所，四川 成都，610041；2.中國科學院研究生院，北京，100039）
摘要：通過溶膠–凝膠法原位合成具有較高介電常數的聚芳醚腈的TiO2雜化薄膜，采用紅外光譜、X射線光電子能譜和掃描電子顯微鏡分析表明，TiO2以納米離徑均勻分散在薄膜中。薄膜的介電常數與TiO2的含量呈線性增長關系，在ω(TiO2)為20％時達到6.21，并且介電強度沒有明顯的下降。綜合各項性能分析顯示ω(TiO2)為15％的雜化薄膜具有優良的力學性能、熱性能和介電性能。
關鍵詞：聚芳醚腈 二氧化鈦 納米雜化材料 薄膜 介電性能
中圖分類號：TQ 326.5 文獻標識碼：B 文章編號：1002-1396（2005）
高能量密度電容器要求介電材料不但具有較高的介電常數，還應具有一定的擊穿強度（EBD）。今年來，雜化材料研究為開發既具有高介電常數又具有優良力學性能的材料提供了空間。
聚芳醚腈（PEN）具有優良的耐熱和力學性能及化學穩定性，應用于軍事和航空航天領域。相比其他特種工程塑料，PEN具有較好的加工性能，除熔融加工外，還可采用溶液加工，這為雜化材料的制備提供了可能性。溶膠–凝膠法廣泛應用于含納米TiO2雜化材料的制備。本工作利用PEN的優良性能結合TiO2的高介電性，采用原位溶膠–凝膠法和流延成膜法制備PEN的TiO2雜化薄膜，并研究薄膜的力學和熱性能以及介電性能。
