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以N-芳基吡咯為共軛橋高分子的合成及其雙光子吸收性能

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分子表征

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本文設計和合成了3個基于N-芳基吡咯的共軛高分子，它們在四氫呋喃的稀溶液中有很強的熒光和較高的量子產率。通過上轉換熒光法測試其雙光子截面值分別為752,1114和1869GM。研究其結構和性能的關系表明，在高分子主鏈中加入富電子和缺電子的基團有利于其雙光子截面值的提高。

作者：

李倩倩，黃靜，彭鳴，鐘奧書，秦金貴，李振

上傳時間：

2012-02-28 14:23:04

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