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Block copolymers composite for advanced memory device applications

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所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2012年兩岸三地高分子液晶態(tài)與超分子有序結(jié)構(gòu)學(xué)術(shù)研討會(huì)（2012.8.26-29，湘潭）

簡(jiǎn)介：

Resistiveswitchingmaterialsmadeoforganicpolymerthinfilmshasbeenrecognizedtobeapromisingalternativeascomparedtotraditionalinorganiccounterpartsduetotheadvantagesofstructuralflexibility,low-cost,solutionprocessability,andthree-dimensionalstackingcapability.Theactivelayerexhibitsdistincthighandlowconductanceresponsestotheappliedvoltagesfortheapplicationsofdigitalmemorydeviceswithsimplesandwichedstructures.Hybrid-typecompositedevicecanbeinvestigatedtoinducethebistableresistiveswitching.Forthehostmatrices,blockcopolymersthatconsistoftwoormorecovalently-bondedblocksmicro-phaseseparateonthemolecularscaletopossessavarietyofstructuresanduseastemplateformanipulatingtheguestadditivespreciselyincompositessystemwithphysical/chemicalstability.Inthistalk,bistableresistiveswitchingcharacteristicsusingasymmetricpoly(styrene-block-4-vinylpyridine)(PS-b-P4VP)blockcopolymersandPCBMorgrapheneoxideaschargestoragematerialsarereportedforvariousmemoryeffectssuchasnon-volatile(flashorwrite-onceread-manytimes(WORM))andvolatile(dynamicrandom-accessmemory(DRAM)orstaticrandom-accessmemory(SRAM))memory.Differentswitchingmechanismsuchastrapping/detrappingorchargetransfereffectwillbediscussed.Ourresultssuggestthatthecontrolledmorphologyoftheblockcopolymerscompositecouldcreatenanoscalechargestorageelementsforthehighdensitymemorydevicewithareducingbitcellsize.

作者：

Cheng-Liang Liu, Wen-Chang Chen

上傳時(shí)間：

2012-12-12 14:54:31

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