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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
II-VI族化合物 碲鋅鎘 晶體生長 退火改性 晶體缺陷 |
| 資料大小： |
197K |
| 所屬學科： |
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| 來源： |
來源網(wǎng)絡(luò) |
| 簡介： |
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圍繞作者所在課題組近年來的研究工作，綜述了II－VI族化合物半導體晶體生長過程中的各種結(jié)構(gòu)缺陷及其形成機理。從晶體生長過程和后續(xù)的熱處理過程兩個方面指出了晶體缺陷的控制原理和方法。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-18 13:43:32 |
| 下載次數(shù)： |
6982 |
| 消耗積分： |
2
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