作者：Ke Zhao, Yingbo Chen*, Siyu Wei, Meng Wang
關(guān)鍵字：Hexagonal boron nitride Polyimide Dielectric Thermal conductivity
論文來源：期刊
具體來源：Ceramic International
發(fā)表時(shí)間：2023年
由于最新微電子器件的快速發(fā)展，兼具高熱導(dǎo)率和低介電常數(shù)的聚合物復(fù)合材料引起了研究者的興趣。然而，平衡上述參數(shù)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。在這項(xiàng)工作中，六方氮化硼(h-BN)粉末超聲剝離獲得烷基化氮化硼納米片(烷基-BNNS)。然后，用不同量的烷基BNNS合成了一系列聚酰亞胺(PI)復(fù)合材料。由于烷基-BNNS與聚合物鏈之間更強(qiáng)的界面非共價(jià)相互作用抑制了界面極化，烷基-BNNS可以很好地分散在PI基底中。因此，所獲得的PI復(fù)合材料在20重量%的負(fù)載下表現(xiàn)出6.21 W/(mK)的高熱導(dǎo)率和3.23的低介電常數(shù)。此外，烷基-BNNS/PI復(fù)合材料具有高效的熱管理能力、低吸水率、良好的電阻和突出的拉伸強(qiáng)度。重要的是，這些復(fù)合膜有望成為微電子領(lǐng)域的優(yōu)秀候選材料。
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