半導體發光材料ZnO納米囊的制備方法
inventor/creator：張永才，吳曉，張明，胡效亞
Paten number/application number：ZL200510122705.1
application/authorized announcemen date：2008-1-23
brief introduction：本發明選取醋酸鋅粉末到雙氧水中攪拌溶解，調節其pH值約為8~11，放入密閉高壓反應釜中，在190~200℃及其自身壓力下水熱反應12~18h，晶化產物經抽濾后用去離子水洗滌，干燥，即得所需產物。解決了模板法工藝復雜、條件苛刻、成本高、提純難且大小受限于模板尺寸等和化學氣相沉積法需貴金屬催化劑，設備昂貴、能耗高，難以控制，重復性不好，產率低、顆粒大，難以規模化生產等缺陷。本發明原料便宜、無毒、無污染，無須模板和催化劑，工藝簡化，成本低，易于規模化生產，產品純六方向、粒徑分布范圍窄、具有優良光之發光性能的ZnO納米囊，無其它有機物和金屬離子污染