項目類別：中國博士后基金
參與人員：詹科
起止日期：2014-2015
采用薄膜基底有效晶格常數(shù)來計入界面晶格失配對殘余應力的貢獻，建立一種考慮鐵電薄膜界面失配的晶粒應變模型；實驗上采用掠入射X射線衍射技術，獲得鐵電薄膜中不同穿透深度處X射線衍射譜，從而獲得不同薄膜厚度處的晶格常數(shù)，即該處單個晶粒的應變；依據(jù)壓電本構方程以及薄膜/基底界面邊界條件，計算出薄膜/基底體系殘余應力值。在此基礎上，利用該模型對不同工藝下的鐵電薄膜界面殘余應力進行表征，建立鐵電薄膜界面殘余應力與鐵電薄膜制備工藝參數(shù)、主導功能特性之間的關系，實現(xiàn)界面殘余應力調控鐵電薄膜功能特性。該研究工作對提高薄膜制備質量、掌握鐵電薄膜結構的形成和穩(wěn)定規(guī)律以及理解界面殘余應力對鐵電薄膜物理性能的影響等均具有直接的指導意義。