一種低介電、低導(dǎo)熱苯并環(huán)丁烯側(cè)基交聯(lián)型自具微孔聚酰亞胺薄膜的制備方法
發(fā)明/申請人：莊永兵; 陸健; 張宇; 萬印華
專利號/申請?zhí)枺篊N202110663689.6
授權(quán)/申請日期：2021-6-15
本發(fā)明提供了一種低介電、低導(dǎo)熱苯并環(huán)丁烯側(cè)基交聯(lián)型自具微孔聚酰亞胺薄膜的制備方法。首先合成含酰亞胺的二胺單體C，然后與含苯并環(huán)丁烯二胺單體D混合，在起源劑的作用下聚合，得到含苯并環(huán)丁烯活性側(cè)基的聚酰亞胺粉末。純化干燥后，將其溶于極性溶劑中，形成1～30wt.％的聚合物溶液，將其均勻涂敷在平板玻璃板上；隨后，在惰性氣體烘箱或者真空烘箱中干燥，脫除溶劑，再以程序升溫方式進行熱固化交聯(lián)，形成5～150微米厚的苯并環(huán)丁烯側(cè)基交聯(lián)型自具微孔聚酰亞胺薄膜。本發(fā)明提供的交聯(lián)型自具微孔聚酰亞胺分子鏈中含有朝格爾堿基結(jié)構(gòu)，制備的薄膜具有低介電常數(shù)、低導(dǎo)熱的性能特征，且其機械性能及耐熱穩(wěn)定性優(yōu)異，尺寸穩(wěn)定性好，在高頻電路板和隔熱材料領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。