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Mg2Si與摻雜系列的電子結構與熱電性能研究 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
硅化鎂 摻雜 電子結構 熱電性能 |
| 資料大?。?/td>
| 127K |
| 所屬學科： |
結構表征 |
| 來源： |
來源網絡 |
| 簡介： |
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用離散變分密度泛函分子軌道方法(DFT-DVM)計算了Mg2Si與摻Sb，Te和Ag系列，討論了電子結構與熱電性能之間的關系。摻雜使得離子鍵和共價鍵強度降低，在費米能級附近的能隙變小，從而提高材料電導率，降低材料熱導率，優化了材料的熱電性能。以上結論與實驗結果一致。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-13 14:30:11 |
| 下載次數： |
576 |
| 消耗積分： |
2
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