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摻鍺CZSi禁帶寬度的變化 |
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| 資料類型: |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞: |
直拉法 晶體生長 SiGe體單晶 禁帶寬度 |
| 資料大小: |
293K |
| 所屬學(xué)科: |
分子表征 |
| 來源: |
來源網(wǎng)絡(luò) |
| 簡(jiǎn)介: |
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采用近紅外分光光度儀(UV/VIS)測(cè)試了直拉法生長的摻雜不同Ge濃度的硅單晶樣品,得到了不同鍺濃度下1000~2000nm波長范圍內(nèi)樣品的透射率和反射率,利用相關(guān)公式計(jì)算出單晶的光學(xué)吸收系數(shù),根據(jù)吸收系數(shù)與單晶禁帶寬度的關(guān)系式作圖,得到了不同鍺濃度樣品的禁帶寬度值。結(jié)果發(fā)現(xiàn),隨鍺濃度的提高,樣品的禁帶寬度逐漸減小。這結(jié)論與理論結(jié)果相吻合。 |
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| 上傳人: |
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| 上傳時(shí)間: |
2007-07-06 12:58:16 |
| 下載次數(shù): |
592 |
| 消耗積分: |
2
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| ye112 2008-11-10 17:15:29 |
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