|
|
| 資料類型： |
PDF文件
|
| 關鍵詞： |
|
| 資料大小： |
570K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
第十三屆全國應用化學會議論文集（2013.8.23~26，長春） |
| 簡介： |
|
從上世紀70年代的10μｍ制程技術開始到2012年英特爾量產22nmIvyBridge處理器，在過去的半個世紀里半導體產業給人類生活帶來了翻天覆地的變化。眾所周知，半導體行業采用光刻法來制造處理器。現今業界采用的光刻光源是193nm紫外光，一次曝光只能制備節距不小于80納米的結構，想要制造更細微的納米結構，必須采用液浸曝光技術兩次或多次曝光[1]。迄今為止，業界仍未確定制備16nm或者更小的動態隨機存儲器或微處理器單元半節距(DRAMorMPUl/2pitch)的光學方案。但是，美國半導體研究聯盟遴選出潛在的可用于制備16和IInmMPU/DRAM的六種備選技術，其中包括“DSA+litho”，即嵌段共聚物的引導組裝... |
|
| 作者： |
季生象
|
| 上傳時間： |
2013-10-28 14:57:04 |
| 下載次數： |
2 |
| 消耗積分： |
2
|
| 立即下載： |
|
|
| 友情提示：下載后對該資源進行評論，即可獎勵2分。 |
|
| 報告錯誤： |
1.下載無效
2. 資料明顯無價值
3. 資料重復存在 |
