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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
CdSe 晶體生長 氣相提拉 平界面 生長 |
| 資料大小： |
321K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡介： |
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以晶體生長理論為基礎，計算了氣相提拉生長CdSe晶體時的生長速率。結果表明用提拉法氣相生長CdSe晶體時，晶體的氣相生長速率將會隨著時間的延長以指數(shù)關系快速的趨近于提拉速度，以后不再變化。由此，在選定溫場的前提下，對CdSe單晶體的氣相生長速度進行了優(yōu)化，確定了3mm/d的生長速度,得到了平界面生長的尺寸為φ20mm30mm，電阻率高達109Ωcm，且未觀察到深能級陷阱的優(yōu)質CdSe大單晶體。 |
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| 作者： |
何知宇，趙北君，朱世富，任銳，溫才，葉林森，鐘雨航，王立苗，楊慧光
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| 上傳時間： |
2008-05-19 15:20:16 |
| 下載次數(shù)： |
59 |
| 消耗積分： |
2
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