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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
二氧化錫 納米線 生長機理 |
| 資料大小： |
943K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡介： |
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使用水平石英管式電爐，以二氧化錫和石墨的混合物為原材料、高純氮氣為載氣，在850℃溫度下用直接熱蒸發法制備二氧化錫納米線。襯底硅片的直徑為10mm，其上覆蓋一層5nm厚的金催化劑。原材料放在石英舟中，離原材料30mm的下風口處放置硅襯底，原材料和硅襯底都放置在石英管的中部電爐的恒溫區內。用掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)觀察到二氧化錫的納米線結構；X射線衍射(XRD)表明二氧化錫納米線具有四方金紅石結構；選區電子衍射(SAED)照片表明二氧化錫納米線具有完善的晶體結構。不同生長時間下制備樣品的掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡照片再現了二氧化錫納米線的生長過程，該納米線的生長符合傳統的VLS生長機制。 |
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| 作者： |
宗福建，李立君，崔曉東，馬洪磊，馬瑾，張錫健，計峰，肖洪地
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| 上傳時間： |
2008-07-08 13:30:20 |
| 下載次數： |
50 |
| 消耗積分： |
2
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