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不同劑量和退火條件下Mn+注入p-GaN 薄膜的電、磁特性研究

資料類型：

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關(guān)鍵詞：

gan 離子注入退火磁性電阻率

資料大小：

228K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

對在藍(lán)寶石襯底上MOCVD生長的p型GaN薄膜，用能量為90keV的Mn+離子進(jìn)行室溫下的磁性離子注入摻雜，注入劑量為11015～51016cm-2。對注入的樣品在N2氣流中經(jīng)800℃下0～90s時間不等的快速熱退火處理。對樣品的電、磁特性分析發(fā)現(xiàn)在注入劑量較低時（≤11016cm-2），樣品中的強(qiáng)鐵磁性對應(yīng)著高電阻率，弱鐵磁性對應(yīng)著低電阻率；而在51016cm-2的高注入劑量下則沒有這樣的規(guī)律。通過對退火條件的研究，發(fā)現(xiàn)在800℃下退火45s的樣品具有較強(qiáng)的鐵磁性和較低的電阻率，而退火90s的樣品中鐵磁性減弱，電阻率升高，揭示出注入劑量和退火條件是在對p型GaN薄膜進(jìn)行磁性離子注入摻雜過程中的兩個重要控制參量。

作者：

石瑛，宋平，蔣昌忠，范湘軍

上傳時間：

2008-08-22 15:05:49

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