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P 型硅并五苯有機場效應晶體管的研制

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簡介：

以P++硅為襯底，熱生長SiO2為柵絕緣層，真空蒸發有機半導體材料并五苯作為有源層，射頻磁控濺射金作為源、漏電極，成功制作了底接觸式并五苯有機場效應晶體管（OFETs）。測試表明在源漏電壓為70V時，器件的載流子遷移率μ為：0.31cm2/V.s。

作者：

董茂軍，陶春蘭，孫碩，李建豐，歐谷平，張福甲

上傳時間：

2008-08-27 16:32:45

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zfaj_2005 2009-03-20 16:56:56

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