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Ta2O5 薄膜的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能研究

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關(guān)鍵詞：

光誘導(dǎo)熱絲CVD Ta2O5 薄膜電學(xué)性能

資料大小：

326K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

采用紫外光誘導(dǎo)熱絲CVD沉積技術(shù)制備Ta2O5薄膜和Al/Ta2O5/SiMOS電容。利用XRD，AFM測試分析方法研究了紫外光源功率對Ta2O5薄膜結(jié)構(gòu)的影響；通過C-V和I-V測試對Ta2O5薄膜的介電常數(shù)，擊穿場強(qiáng)和漏電流等電學(xué)性能進(jìn)行了研究，結(jié)果表明：紫外光源的功率越大，Ta2O5薄膜的結(jié)晶性越好，介電常數(shù)越大，最大值為29，但紫外光功率對擊穿場強(qiáng)和漏電流沒有明顯改善。

作者：

魏愛香，張幸福

上傳時間：

2008-09-02 15:21:57

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