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納米摻雜SnO2 的研究及其第一性原理的計算 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
第一性原理 SnO2 電子結構 摻雜 |
| 資料大小： |
558K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡介： |
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利用Castap軟件計算了Co以不同比例摻雜SnO2的電子結構，分析了摻雜及摻雜比例對改善SnO2導電性的作用，建立了純SnO2計算模型。計算結果表明：純SnO2是一種包含離子鍵的共價鍵直接禁帶半導體；通過摻雜能夠在一定程度上改變成鍵性質，使其具有金屬鍵性質，從而提高SnO2導電性。其中，摻雜比率為5%的價帶到中間能級寬度最小，摻雜原子與其鄰近原子的電荷重疊區(qū)更明顯，系統(tǒng)電子共有化程度最高，費米能級處對電子態(tài)密度的貢獻也最大，因此摻雜比率為5%的導電性最好。 |
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| 作者： |
劉志勇，鄭冀，李松林
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| 上傳時間： |
2008-09-05 13:37:30 |
| 下載次數(shù)： |
39 |
| 消耗積分： |
2
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