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AAO及Co/AAO納米陣列結構的光致發光特性研究

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實驗研究了氧化電壓和氧化時間對多孔陽極氧化鋁(AAO)及Co/AAO納米有序陣列復合結構光致發光特性的影響，結果表明：AAO模板在350～550nm范圍內存在較強的光致發光帶；Co/AAO納米有序陣列復合結構的光發射強度隨Co沉積量的增加而迅速減弱。定性分析解釋了上述現象發生的原因。

作者：

李燕，李守義，王建，馬保宏，王成偉

上傳時間：

2008-09-11 14:03:22

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