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熱蒸發(fā)法ZnO納米棒陣列的研究

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關(guān)鍵詞：

熱蒸發(fā) ZnO納米棒陣列 ZnO薄膜緩沖層

資料大小：

400K

所屬學科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

采用熱蒸發(fā)的方法在ZnO薄膜緩沖層上成功制備了高密度的ZnO納米棒陣列，其中ZnO薄膜緩沖層是通過PLD(PulsedLaserDeposition)的方法制得。與已有的報道不同，該方法未使用任何金屬催化劑。X射線衍射儀（XRD）以及場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）的結(jié)果表明，實驗得到的ZnO納米棒陣列整齊垂直排列在襯底上。此外，在常溫下測量得到的光致發(fā)光（PL）譜和透射電子顯微鏡顯示該ZnO納米棒陣列結(jié)晶較好，無明顯的缺陷。研究結(jié)果表明納米棒陣列的形成主要歸因于ZnO納米棒和薄膜之間完美的晶格匹配。

作者：

張志鵬，王浩，莫琦，王毅，汪漢斌，楊輔軍，朱建華

上傳時間：

2008-09-11 14:57:56

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