項目類別：國家自然科學(xué)基金面上項目
項目編號：51472130
項目規(guī)模：85萬
參與人員：單福凱、劉國俠等9人
起止日期：2015-2018
非晶氧化物半導(dǎo)體(AOS)薄膜晶體管(TFT)具有遷移率高、室溫制備、適合大面積生產(chǎn)、成本低等優(yōu)點，引起了學(xué)術(shù)界和工業(yè)界濃厚的興趣。然而目前報道的TFT通常穩(wěn)定性較差并且需要大的電壓獲得大的輸出電流。低溫制備高穩(wěn)定并且低操作電壓的TFT成為最新的研究熱點。本項目在柔性襯底上利用溶膠凝膠和物理濺射技術(shù)低溫制備基于超薄高k介電層的InMZnO體系A(chǔ)OS TFT。
本項目包括三部分：
1) 利用溶膠凝膠技術(shù)和"紫外光退火"工藝在柔性襯底上制備超薄高k介電薄膜，降低薄膜的制備溫度。介電薄膜的高k值和低漏電流可以保證TFT的優(yōu)異性能；
2) 利用濺射技術(shù)低溫制備InMZnO溝道層，通過改變M元素種類和化學(xué)配比，改變實驗條件和后退火工藝等提高溝道層的電學(xué)性能和穩(wěn)定性。
3) 在柔性襯底上制備性能優(yōu)異、可低電壓工作、高穩(wěn)定性的AOS TFT。該TFT在未來的平板顯示領(lǐng)域具有重要的科學(xué)價值和廣闊的應(yīng)用前景。
Normal
0
10 pt
0
2
false
false
false
EN-US
ZH-CN
X-NONE
$([{￡￥·‘“〈《「『【〔〖〝﹙﹛﹝＄（．［｛￡￥
!%),.:;>?]}￠¨°·ˇˉ―‖’”…‰′″?℃∶、。〃〉》」』】〕〗〞︶︺︾﹀﹄﹚﹜﹞！＂％＇），．：；？］｀｜｝～￠
/* Style Definitions */
table.MsoNormalTable
{mso-style-name:普通表格;
mso-tstyle-rowband-size:0;
mso-tstyle-colband-size:0;
mso-style-noshow:yes;
mso-style-priority:99;
mso-style-parent:"";
mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt;
mso-para-margin-top:0cm;
mso-para-margin-right:0cm;
mso-para-margin-bottom:10.0pt;
mso-para-margin-left:0cm;
line-height:11.0pt;
mso-pagination:widow-orphan;
font-size:11.0pt;
font-family:Calibri;
mso-ascii-font-family:Calibri;
mso-ascii-theme-font:minor-latin;
mso-hansi-font-family:Calibri;
mso-hansi-theme-font:minor-latin;
mso-font-kerning:1.0pt;}