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II-VI族化合物半導體中的晶體缺陷及其控制

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圍繞作者所在課題組近年來的研究工作，綜述了II－VI族化合物半導體晶體生長過程中的各種結構缺陷及其形成機理。從晶體生長過程和后續的熱處理過程兩個方面指出了晶體缺陷的控制原理和方法。

作者：

介萬奇李宇杰

上傳時間：

2007-07-18 13:43:32

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相關評論 共有2人發表評論

wonlyou 2012-07-31 15:11:05

不錯，有幫助

lijingyan 2009-05-29 10:37:18

很好，謝謝。

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