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Mg2Si 電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)的研究

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關(guān)鍵詞：

Mg2Si 第一性原理電子結(jié)構(gòu) 光學(xué)性質(zhì)

資料大小：

425K

所屬學(xué)科：

分子表征

來(lái)源：

2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專(zhuān)題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡(jiǎn)介：

采用基于第一性原理的贗勢(shì)平面波方法系統(tǒng)地計(jì)算了Mg2Si基態(tài)的電子結(jié)構(gòu)、態(tài)密度和光學(xué)性質(zhì)。計(jì)算結(jié)果表明Mg2Si屬于間接帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度為0.2994eV；其價(jià)帶主要由Si的3p以及Mg的3s、3p態(tài)電子構(gòu)成，導(dǎo)帶主要由Mg的3s、3p以及Si的3p態(tài)電子構(gòu)成；靜態(tài)介電常數(shù)1(0)＝18.89；折射率0n＝4.3460；吸收系數(shù)最大峰值為356474.5cm-1；并利用計(jì)算的能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度分析了Mg2Si的介電函數(shù)、折射率、反射率、吸收系數(shù)、光電導(dǎo)率和能量損失函數(shù)的計(jì)算結(jié)果，為Mg2Si的設(shè)計(jì)與應(yīng)用提供了理論依據(jù)。

作者：

陳茜，謝泉，閆萬(wàn)珺，楊創(chuàng)華，趙鳳娟

上傳時(shí)間：

2008-05-16 14:53:32

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hahaxinxin 2009-03-03 15:15:34

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