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注硅對SIMOX 材料性能影響的研究

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首先采用注硅的方法改進SIMOX(注氧隔離)SOI(絕緣體上硅)材料，對硅注入在SIMOX材料的絕緣埋層中形成的納米硅團簇的條件和納米團簇的結構進行了論述。并對埋層結構與抗輻射性能的機理進行了分析。最后，對利用注硅改進的SIMOX材料制備的MOSFET的輻射特性進行了報道。

作者：

賀威，張正選，田浩，楊惠，俞文杰，王茹，陳明，王曦

上傳時間：

2008-07-31 17:21:48

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