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MOCVD方法制備In2O3薄膜的性質(zhì)研究

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關(guān)鍵詞：

MOCVD In2O3薄膜結(jié)構(gòu)性質(zhì) 光電性質(zhì)

資料大小：

349K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡介：

用金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(MOCVD)方法以三甲基銦為源材料，以O(shè)2為氧化氣體，在藍(lán)寶石襯底(0001)面上生長出了高質(zhì)量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌和光電性質(zhì)。結(jié)果表明制備樣品具有In2O3體心立方結(jié)構(gòu)和(222)方向擇優(yōu)取向生長，電阻率～6.4010-3Ωcm，在可見光區(qū)域的平均透過率達(dá)到了90%以上。

作者：

楊帆，馬瑾，馮先進(jìn)，孔令沂，張凱

上傳時間：

2008-09-09 17:16:23

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