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Gd2O3摻雜CeO2－δ固體電解質(zhì)的電化學(xué)性能研究

資料類型：

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關(guān)鍵詞：

摻雜CeO2－δ 電導(dǎo)率固體電解質(zhì) 交流阻抗譜

資料大小：

209K

所屬學(xué)科：

分子表征

來源：

2004年第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡介：

利用交流阻抗技術(shù)（EIS）測試了Gd2O3摻雜CeO2－δ固體電解質(zhì)的電導(dǎo)率。當(dāng)測試溫度低于695℃時，阻抗譜由2個變形的半圓弧組成；而高溫時僅有1個變形的半圓弧。固體電解質(zhì)的晶格電導(dǎo)率、晶界電導(dǎo)率和總電導(dǎo)率與測試溫度的關(guān)系服從Arrhenius公式。材料的電導(dǎo)率隨成型壓力的增大先增大，然后減小。隨燒結(jié)溫度的升高，材料電導(dǎo)率是升高的。

作者：

宋希文趙永旺彭軍趙文廣安勝利

上傳時間：

2007-07-13 15:59:27

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