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應用于微電子機械系統(tǒng)中多孔硅的研究

資料類型：

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關鍵詞：

多孔硅微電子機械系統(tǒng) 腐蝕速率孔隙率殘余應力

資料大小：

172K

所屬學科：

分子表征

來源：

2004年第五屆中國功能材料及其應用學術會議（9.12-9.16，北京.秦皇島）

簡介：

針對多孔硅在MEMS中作為犧牲層和絕熱層的應用，主要研究了電化學腐蝕法制備多孔硅的實驗條件與多孔硅深度及其孔隙率間的關系，實驗發(fā)現(xiàn)電化學腐蝕法制備多孔硅的腐蝕速率在腐蝕前期階段基本是一定值(電流密度為80mA/cm2時為1.3&micro；m/min,電流密度為40mA/cm2時為0.4&micro；m/min)，但到腐蝕后期階段隨著孔深的增加有所下降。同時發(fā)現(xiàn)對于不同的腐蝕電流密度，多孔硅的孔隙率都有隨腐蝕時間的延長先增加后降低的趨勢，用Beale模型可以很好的解釋這一現(xiàn)象。最后，針對多孔硅在制備后易發(fā)生龜裂的現(xiàn)象，用拉曼光譜分析了多孔硅的內(nèi)部應力情況，結果表明隨多孔硅孔隙率的上升其內(nèi)部殘余應力有增加的趨勢。

作者：

崔夢胡明雷振坤竇雁威田斌

上傳時間：

2007-07-12 12:18:01

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