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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
鐵電薄膜 Bi4Ti3O12 漏導(dǎo)機制 I-V特性 |
| 資料大小： |
135K |
| 所屬學(xué)科： |
分子表征 |
| 來源： |
2004年第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議（9.12-9.16，北京.秦皇島） |
| 簡介： |
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采用溶膠-凝膠工藝（Sol-Gel）在Pt/Ti/SiO2/p-Si襯底上成功制備了低漏電流Bi4Ti3O12(BIT)鐵電薄膜，對所得樣品的漏導(dǎo)行為進(jìn)行了研究。研究表明，Bi4Ti3O12薄膜的漏電流密度在+3V偏壓下低于10－9A/cm2，滿足器件應(yīng)用的要求。在不同場強下薄膜的漏導(dǎo)機制不同，而且正向和負(fù)向電場作用下I-V曲線明顯不同，正向漏電流明顯小于負(fù)向漏電流。電壓低于2V時，薄膜以歐姆導(dǎo)電機制為主，電壓在2~5.4V(加正向電壓)或2.2~3.6V(加負(fù)向電壓)時，BIT薄膜應(yīng)以Schottkyemission導(dǎo)電機制為主；而對于較高的場強下，BIT薄膜以Space-chargelimitedcurrents(SCLC)導(dǎo)電機制為主。 |
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| 作者： |
王華 李巖
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| 上傳時間： |
2007-07-12 15:48:49 |
| 下載次數(shù)： |
617 |
| 消耗積分： |
2
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