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圓柱靶濺射芯片銅導(dǎo)線中硅盤銅線的均勻度和對(duì)稱性

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關(guān)鍵詞：

物理氣相沉積濺射銅互連角系數(shù)

資料大?。?/td>

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所屬學(xué)科：

分子表征

來(lái)源：

2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)

簡(jiǎn)介：

研究開(kāi)發(fā)了一個(gè)角系數(shù)模型來(lái)模擬低氣壓下圓柱靶濺射沉積銅連線。研究包含靶上不同部位對(duì)銅連線的均勻性和對(duì)稱性的影響，也包含圓柱靶濺射中的再沉積。研究發(fā)現(xiàn)下段柱筒的沉積量大，銅膜在硅盤邊緣部分的溝槽中對(duì)稱性好于上段，但硅盤上銅膜的不均勻性也最嚴(yán)重。當(dāng)上段柱筒距硅盤距離足夠遠(yuǎn)時(shí)，上段柱筒的角系數(shù)趨勢(shì)起到部分抵消中段和下段角系數(shù)的不均勻趨勢(shì)，對(duì)沉積銅在硅盤上的均勻性起幫助作用。圓柱頂端和柱筒上段需要提高濺射強(qiáng)度以降低再沉積的不良影響。但是提高柱筒上段的濺射強(qiáng)度會(huì)對(duì)硅盤邊緣線路溝槽中的銅膜的對(duì)稱性產(chǎn)生不良影響。

作者：

楊林，呂俊青

上傳時(shí)間：

2008-05-16 15:51:21

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