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真空熱處理制備β-FeSi2光電薄膜的研究 |
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| 資料類型: |
PDF文件
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| 關鍵詞: |
光電薄膜 β-FeSi2 真空熱處理 磁控濺射 |
| 資料大?。?/td>
| 381K |
| 所屬學科: |
分子表征 |
| 來源: |
2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19,武漢) |
| 簡介: |
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磁控濺射法沉積的Fe/Si多層膜和Fe單層膜經(jīng)真空熱處理后制備了β-FeSi2薄膜。[Fe1nm/Si3.2nm]60多層膜在<880℃溫度下真空熱處理2h后,樣品均呈現(xiàn)β(220)/(202)擇優(yōu)取向,而Fe單層膜制備的樣品則易形成β-FeSi2與ε-FeSi相的混合物,且取向雜亂。在920℃真空熱處理后,兩種樣品都形成了α-FeSi2薄膜。原子力顯微鏡分析表明,樣品表面粗糙度隨熱處理溫度升高而變大,最大表面均方根粗糙度約為16nm。盧瑟福背散射分析發(fā)現(xiàn),F(xiàn)e/Si多層膜樣品熱處理過程中元素再分布很小。根據(jù)光吸收譜測量,F(xiàn)e/Si多層膜制備的β-FeSi2薄膜的禁帶寬度為0.88eV。 |
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| 作者: |
沈鴻烈,高 超,黃海賓
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| 上傳時間: |
2008-09-08 14:36:28 |
| 下載次數(shù): |
30 |
| 消耗積分: |
2
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